它采用了 DDR内存接口

 三极管新闻     |      2019-05-07 11:13

  新的存储技术时不时就会冒出来一个,但从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。如果说Crossbar这种小型创业公司的电阻式RRAM让你感到信心不足,那么存储大厂美光的可变电阻式ReRAM会不会更有吸引力?

  其实,美光早在2007年就提出了这种技术,此后几乎每年都会透露一些进展,但就是距离量产遥遥无期,这次也没有给出具体时间表。

  美光是和索尼联合研发ReRAM的,其基本原理和Crossbar RRAM有些类似,同样是非易失性存储,但是更强调电阻可变,同时为了区分,缩写也有所不同。

  美光这次在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造,三层铜线平方毫米。作为原型,它采用了DDR内存接口,但后期很容易替换。美光表示,