roe---发射极接地

 三极管系列     |      2019-05-15 21:09

  VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

  Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

  Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流

  Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值

  rbbCc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

  roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

  VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

  VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

  VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

  VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)

  Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻